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＞Rbe2為了更加量化去對比不同方式在接觸區(qū)域的差異，以接觸區(qū)域RMS變形作為接觸面等效壓縮變形，得到Contact，Bond，Rbe2，Rbe3方式得到的等效變形分別為：2.64um，2.22um，2.00um，2.78um也就是Bond，Rbe2，Rbe3方式誤差分別為-15.9%，-24.2%，+5.3%，因此對于該模型，單從變形結(jié)果精度排序是：Rbe3＞Bond＞Rbe2

用過EDEM的都知道，如果是形狀稍微復(fù)雜的顆粒可能需要用一個個元顆粒填充，還要用到bond模型，工作量不小。 2）Rocky允許在計算前預(yù)覽部件運動，這一點方便判斷Frame Motion是否設(shè)置正確。 3）畢竟現(xiàn)在同屬于Ansys的模塊，相比EDEM，Rocky和Fluent的耦合更加絲滑。

2.1通過ANSYS進行FEM仿真為了簡單起見，光學(xué)組件被創(chuàng)建為由兩個直徑760μm 的SAC合金球體所焊接的獨立的2 mm3立方體，并通過ANSYS設(shè)計模塊融化到一個5×5×0.25mm的AIN基板(圖3)。接下來，如表1和2中所示，對每個組件的材料屬性進行定義。

但是影響的變形范圍存在差異下面詳細提取被連接件表面變形數(shù)據(jù):通過變形曲線可以得到:①不同連接方式差異主要體現(xiàn)在接觸區(qū)，接觸區(qū)外變形的相對誤差均在可接受范圍內(nèi)②接觸區(qū)域變形程度:Rbe3>實際接觸>Bond>Rbe2為了更加量化去對比不同方式在接觸區(qū)域的差異，以接觸區(qū)域RMS變形作為接觸面等效壓縮變形，得到Contact，Bond，Rbe2，Rbe3方式得到的等效變形分別為:2.64um

（6） 壓接封裝：壓接型器件各層組件界面間依靠壓力接觸實現(xiàn)電熱傳導(dǎo)，分為凸臺式和彈簧式兩類。與焊接型器件相比，壓接封裝結(jié)構(gòu)模塊具有高功率密度、雙面散熱、低通態(tài)損耗、抗沖擊能力強、耐失效短路和易于串聯(lián)等優(yōu)點，而且采用數(shù)量較少的壓接型模塊便可滿足換流時電壓等級和容量需求，但由于密封等要求多采用LTCC陶瓷設(shè)計，成本較高，且壓接封裝結(jié)構(gòu)復(fù)雜，目前只用于高壓模塊的制造，具有一定的應(yīng)用市場。